高硬度、耐熱、半導体特性、化学蒸着法炭化ケイ素 CVD-SiC
インターフェイス CVD SiC(化学蒸着法炭化ケイ素)は高硬度、耐熱性、耐磨耗性に優れた半導体特性を持つ薄膜です。弊社独自のCVD法により半導体装置部品等にも適応可能なグレードを保ち、高純度のSiC膜を最大２mm以上析出してバルクのSiCを作成しております
- 色調: 灰色
- 硬度: 2800〜3000HV
- 膜厚: 500μm〜5mm
- 酸化温度: 500℃
- 処理温度: 1200〜1500℃
- 結晶配向: 標準
- 有効径:
小型 200L×200W×80T
大型 Φ500L×600L - 用途：
高温ガラスレンズ用金型
半導体関連部品等
フェルトにコート可能
SiC-CVDコート フェルトSEM 1
SiC-CVDコート フェルトSEM 2
用途
CVD SiC サセプター
CVD SiC 製品
CVD SiC レンズ金型
- 耐熱部材
- ラジアントチューブ、炉心管、チューブ
- 構造用部材
- メカカルシール、軸受け、ポンプ部材
- 半導体用部材
- フォーク、ラッププレート、真空チャック、エアースライダー、精密ステージ
- 電磁波用部材
- マイクロ波吸収体、SORミラー
- 耐食部材
- 保護管、ケミカルポンプ部材、炉心管
- 導電性部材
- スパークロッド、フレームロッド、放電加工部品
特性
高純度のSiC膜を最大2mm以上析出してバルクのSiCを作成しております。コーティング膜のノジュール(突起状成長物)は殆ど観察されない。膜中のポーラス層が無く良好な密着強度
SiC層横断面SEM写真
SiC層表面SEM写真
常圧焼結SiCへ微細結晶(20μm以下)のCVD-SiCコーティング可能
当社微細結晶SiC
SiC膜厚2mm
当社通常結晶SiC
SiC膜厚2mm
他社SiC
SiC-CVDコート条件での結晶成長
標準粒径SiC-CVD(1辺最大80μm)
微細粒径SiC-CVD(粒径20μm以下)
厚膜目視
結晶配向
CVD-SiC円柱金型製作
円柱製作範囲
- 直径
- Φ5〜30mm (30mm以上特注可)
- 長さ
- 5〜30mm (30mm以上特注可)
- 円柱精度
- 標準、寸法公差±0.1/平面度・真円度・直角度0.002
常圧焼結SiC
| 標準 | 特注 | ||
| 密度 | g/cc | 3.15 | 3.15 |
| 4点曲げ強度 | MPa | 490 | 450 |
| 熱膨張係数 (40〜800℃) |
X10^-6/℃ | 4.1 | 4.4 |
| 熱伝導率 | W/M.K | 160 | 170 |